LPDDR5 Memory

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美光的LPDDR5 DRAM满足了人工智能和5G的下一代内存需求,与前几代相比,数据访问速度提高了50%,功耗效率提高了20%以上. 美光LPDDR5允许5G智能手机和其他设备以高达6倍的峰值速度处理数据.4Gbps,这对于防止5G数据瓶颈至关重要.

释放高端智能手机的5G性能

美光设计LPDDR5 DRAM是为了满足越来越多的市场对更高内存性能和更低能耗的需求, 包括汽车, 为5G和人工智能应用构建的客户端pc和网络系统.

人工智能在更多应用中的出现,推动了对先进内存解决方案的需求,这些解决方案能够更快、更有效地访问数据. 美光LPDDR5提供了将人工智能引擎直接内置到移动处理器所需的速度和容量. 这些处理器依靠来自美光内部LPDDR5内存的高数据速率来支持其机器学习能力.

关键的LPDDR5性能特性

  • 最大DRAM带宽高达6400 Mbps(与LPDDR4x相比提高50%),以实现全面的5G支持
  • 与LPDDR4x相比,功率效率提高20%,延长电池寿命
  • 支持最大密度12GB

User Benefits

  • 由于提高了电源效率,LPDDR5提供了5-10%的电池寿命
  • LPDDR5可以支持未来的用例,如8K和360°视频, 可能需要高达*51带宽的VR和AR应用程序.2Gbps

*基于4通道设备计算

Density

Select Density
  • 16Gb
  • 32Gb
  • 48Gb
  • 64Gb
  • 96Gb
  • 128Gb
范围:16Gb - 128Gb
  • DRAM Type
    LPDDR5
  • Width
    x32
  • Voltage
    1.05V
  • Package
    TFBGA
  • Op. Temp.
    -25C to +85C
  • DRAM Type
    LPDDR5
  • Width
    x32, x64
  • Voltage
    1.05V
  • Package
    TFBGA, WFBGA
  • Op. Temp.
    -25C to +85C
  • DRAM Type
    LPDDR5
  • Width
    x64
  • Voltage
    1.05V
  • Package
    WFBGA
  • Op. Temp.
    -25C to +85C
  • DRAM Type
    LPDDR5
  • Width
    x64
  • Voltage
    1.05V
  • Package
    WFBGA
  • Op. Temp.
    -25C to +85C
  • DRAM Type
    LPDDR5
  • Width
    x64
  • Voltage
    1.05V
  • Package
    WFBGA
  • Op. Temp.
    -25C to +85C
  • DRAM Type
    LPDDR5
  • Width
    x64
  • Voltage
    1.05V
  • Package
    VFBGA
  • Op. Temp.
    -25C to +85C
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